1. 设备类型与功能
应用领域:主要用于半导体制造、MEMS、先进封装及光掩模生产中的光刻胶涂覆与显影工艺。
工艺能力:支持旋涂(Gyrset®)、喷涂(Alta)、边缘珠去除(EBR)、背面冲洗及热板烘烤(最高 250°C)。
自动化程度:盒到盒(Cassette-to-Cassette)全自动操作,支持 SMIF 标准接口,适合批量生产(HVM)。
2. 基材兼容性
晶圆尺寸:50 mm(2 英寸)、75 mm(3 英寸)、100 mm(4 英寸)、150 mm(6 英寸)、200 mm(8 英寸)。
光掩模尺寸:125 mm × 125 mm、150 mm × 150 mm。
基材厚度:最大 5 mm,支持硅、硅锗等材料。
3. 关键模块与参数
涂覆模块:
旋涂(Gyrset®):封闭式涂层技术,减少光刻胶飞溅,支持高粘度材料。
喷涂(Alta):适合大面积均匀涂覆,兼容低粘度光刻胶或特殊材料。
加热模块:
热板温度:最高 250°C,可编程控制,用于光刻胶预烘和固化。
温度均匀性:±1°C(典型值),确保工艺一致性。
显影模块:
湿法显影:支持水性或溶剂型显影剂,喷嘴类型可选(如喷雾、淋涂)。
显影精度:边缘残留 < 5 μm,满足高精度光刻需求。
4. 系统性能
处理效率:
单晶圆周期:旋涂 ≤ 30 秒,显影 ≤ 60 秒(取决于工艺复杂度)。
吞吐量:Gen3 版本通过多模块并行处理,可实现每小时 100 片以上(8 英寸晶圆)。
工艺稳定性:
光刻胶厚度均匀性:±2%(3σ),通过闭环反馈控制实现。
边缘珠去除率:>99%,支持自动检测与补偿。